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IXTC220N075T
70
Fig. 13. Resistiv e Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
75
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
65
R G = 3.3 Ω
70
60
55
50
45
40
35
30
25
20
I D = 50A
I D = 25A
V GS = 10V
V DS = 37.5V
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
R G = 3.3 Ω
V GS = 10V
V DS = 37.5V
T J = 25oC
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistiv e Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
75
220
48.5
84
70
65
60
55
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 37.5V
200
180
160
140
48.0
47.5
47.0
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 Ω , V GS = 10V
V DS = 37.5V
I D = 25A
80
76
72
I D = 50A
46.5
68
50
45
I D = 25A
120
100
46.0
64
40
35
30
25
80
60
40
20
45.5
45.0
44.5
44.0
I D = 50A
60
56
52
48
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistiv e Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times v s. Gate Resistance
49
95
210
340
t f t d(off) - - - -
R G = 3.3 Ω , V GS = 10V
90
190
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
310
48
V DS = 37.5V
85
80
170
150
V DS = 37.5V
I D = 25A
280
250
47
T J = 125oC
75
70
130
I D = 50A
220
46
65
60
110
90
190
160
45
44
T J = 25oC
55
50
45
70
50
30
130
100
70
24
26
28
30 32
34
36
38
40
42 44
46
48
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2
4
6
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16
18
20
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_220N075T (61) 8-31-06-A.xls
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IXTC240N055T 功能描述:MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTC250N075T 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTC26N50P 功能描述:MOSFET 14.0 Amps 500 V 0.26 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTC280N055T 功能描述:MOSFET 280 Amps 55V 2.8 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTC36P15P 功能描述:MOSFET -22.0 Amps -150V 0.120 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTC62N15P 功能描述:MOSFET Polar MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTC72N30T 功能描述:MOSFET 72 Amps 300V 52 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube